IRLR3802PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRLR3802PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLR3802PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLR3802PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRLR3802PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 249070
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, 12V, 84A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ12V
Current, Id Cont84A
Resistance, Rds On0.0085ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ1.9V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse320A
Power Dissipation88W
Power, Pd88W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.0085ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.7°C/W
Voltage, Vds Max12V
Voltage, Vgs th Max1.9V

Производитель: INFIN
Даташит для IRLR3802PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRLR3802PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRLR3802TRPBF (INFIN)
Доступно 2000 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Avalanche Rated Logic Lev…