IRLR3303PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRLR3303PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLR3303PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRLR3303PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRLR3303PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 247891
OBS Снято с производства
Корпус
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, N, 30V, 33A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont33A
Resistance, Rds On0.031ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ1V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse140A
Power Dissipation57W
Power, Pd57W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.031ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A2.2°C/W
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Min1V