IRFL024NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFL024NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 247862
OBS Снято с производства
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Qg - Gate Charge
Конфигурация
Channel Mode

MOSFET, N, 55V, 4A, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ55V
Current, Id Cont4A
Resistance, Rds On0.075ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse11.2A
Marking, SMDFL024N
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A60°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: INFIN
irfr024n.pdf
IPB123N10N3GATMA1 (INFIN)
от 72,50 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

IRFL024NTRPBF (INFIN)
от 19,40 Склад (1-2 дн)

Полевой транзистор. 55V. 4.0A.