IRFB59N10DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB59N10DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 247821
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов
Технология
Монтаж
Количество транзисторов
Qg - Gate Charge
Конфигурация

MOSFET, N, 100V, 59A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont59A
Resistance, Rds On0.025ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse236A
Pins, No. of3
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max5.5V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB59N10DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF3710ZPBF (INFIN)
от 50,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:59A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:2900pF; Current, Idm Pulse:240A; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:170mJ; Pins, No.…

IRFB4410ZPBF (INFIN)
от 62,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:97A; Resistance, Rds On:0.009ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4410; Charge, Gate N-channel:83nC; Current, Idm Pulse:390A; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 19шт.
97,00 от 35 шт. 83,00 от 76 шт. 76,50
Расчет доставки...