IRG4BC40WPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRG4BC40WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRG4BC40WPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 247755
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Технология
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT, TO-220

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max40A
Voltage, Vce Sat Max2.5V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-220
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed160A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall74ns
Time, Fall Max74ns
Time, Rise22ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRG4BC40WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRG4BC40WPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)