IRFR3518PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFR3518PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 244667
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,

MOSFET, N, 80V, 38A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont38A
Resistance, Rds On0.029ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse150A
Marking, SMDIRFR3518
Power Dissipation110W
Power, Pd110W
Thermal Resistance, Junction to Case A1.4°C/W
Voltage, Vds Max80V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRFR3518PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFR3518TRPBF (INFIN)
Доступно 16237 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Dynamic dv/dt Rating Fast Switc…