IRF630N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF630N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF630N, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF630N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 24385
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, N TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont9.3A
Resistance, Rds On0.3ohm
Case StyleTO-220AB
Current, Idm Pulse37A
Pins, No. of3
Power Dissipation82W
Power, Pd82W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: INFIN
IRF630N.pdf
IRFB4020PBF (INFIN)
от 65,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

IRF630NPBF (INFIN)
от 29,70 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:9.3A; Resistance, Rds On:0.3ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:37A; Pins, No.…

IRF630 (ST)
от 24,20 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 9 А; Rси(вкл): 0.4 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 31 нКл