IRF6646TR1 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF6646TR1
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 243642
OBS Снято с производства
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Vgs для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Рассеиваемая мощность
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, N, DIRECTFET, MN

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont12A
Resistance, Rds On7.6mohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4.9V
Case StyleMN
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ2060pF
Current, Idm Pulse96A
Marking, SMD6646
Power Dissipation2.8W
Power, Pd2.8W
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-40°C
Time, trr Typ36ns
Voltage, Vds80V
Voltage, Vds Max80V

Производитель: INFIN
IRF6646TR1.pdf
IRF6646TR1PBF (INFIN)
Доступно 32 шт. (под заказ)

DirectFET 80V 68A 9.5mOhm 36nC MedCan

IRF6646TRPBF (INFIN)
Доступно 32132 шт. (под заказ)

MOSFET 80V 1 N-CH HEXFET 9.5mOhms 36nC