MJD127T4 (STMicroelectronics)

Наименование MJD127T4
Производитель STMicroelectronics(ST)
Артикул 242798
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,

Биполярный транзистор -

Тип PNP
UКЭ(макс) 100 В
UКЭ(пад) 4 В
IК(макс) 8 А
Pрасс 20 Вт
Fгран 4 МГц

MJD127G (ONS)
от 19,70 Склад (1-2 дн)

DARLINGTON TRANSISTOR, D-PAK; Transistor Type:Bipolar Darlington; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:8A; Voltage, Vce Sat Max:-2V; Power Dissipation:1.75W; Hfe, Min:1000; Case Style:D-PAK; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:8A; Current, Ic av:8A; Current, Ic hFE:4A; Depth, External:10.5mm; Device Marking:MJD127; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:MJD127; Pins, No.…

MJD127T4G (ONS)
от 19,40 Склад (1-2 дн)

Transistor; Transistor Type:Darlington; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Continuous Collector Current, Ic:8A; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):4V; Power Dissipation, Pd:25W