IRF640N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF640N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 24265
Корпус
Рассеиваемая мощность
Макс. напряжение Vdss
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)

MOSFET, N TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont18A
Resistance, Rds On0.15ohm
Case StyleTO-220AB
Current, Idm Pulse72A
Pins, No. of3
Power Dissipation150W
Power, Pd150W
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF640PBF (VISH/IR)
от 42,80 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.18ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFB4020PBF (INFIN)
Доступно 51467 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 200V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4.9V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4020; Charge, Gate N-channel:18nC; Current, Idm Pulse:52A; Pins, No.…

PHP20NQ20T.127 (NEX-NXP)
от 23,30 Склад (1-2 дн)

N-channel TrenchMOS transistor

STP20NF20 (ST)
от 36,40 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Iс(25°C): 18 А; Rси(вкл): 0.125 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Qзатв: 28 нКл; Pрасс: 90 Вт

IRF640NPBF (INFIN)
от 31,30 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 200V, 18A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.15ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:72A; Pins, No.…

STP19NF20 (ST)
от 31,70 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]; Тип: N; Uси: 200 В; Iс(25°C): 15 А; Rси(вкл): 0.16 Ом; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В