MJD31CG (On Semiconductor)

Наименование MJD31CG
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 242045
Макс. рабочая частота
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж

TRANSISTOR, NPN, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityNPN
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max3A
Voltage, Vce Sat Max1.2V
Power Dissipation1.56W
Hfe, Min10
ft, Typ3MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Application CodePGP
Current, Ic Max3A
Current, Ic hFE1A
Depth, External10.28mm
Length / Height, External2.38mm
Marking, SMDMJD31C
Power, Ptot15W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.73mm
ft, Min3MHz

Производитель: ONS
Даташит для MJD31CG, On Semiconductor
Производитель: ONS
Даташит для MJD31CG, On Semiconductor
MJD31CT4 (ST)
Доступно 179688 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 15 Вт; h21: 10...50

В НАЛИЧИИ 2360шт.
14,10 от 225 шт. 12,10 от 525 шт. 11,10
Расчет доставки...