BT168GW (NXP SEMICONDUCTORS )

Наименование BT168GW
Производитель NXP SEMICONDUCTORS (NXP)
Артикул 240887
OBS Снято с производства
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Ток It av
Корпус
Кол-во выводов
Ток удержания Макс Ih
Ток коммутации номинальный
Макс. рабочее напряжение
Тип управляемого диода
Максимальная рабочая температура
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц
Напряжение открытия Макс Vgt
Ток управления

THYRISTOR, 1A, 600V, SOT-223

Thyristor/Triac TypeThyristor
Voltage, Vdrm600V
Current, It RMS1A
Current, Itsm9A
Current, Igt200чA
Voltage, Vgt0.5V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, It AV0.63A
Voltage, Vrrm600V

Производитель: NXP
Даташит для BT168GW, NXP SEMICONDUCTORS
BT168GW.115 (WEEN/NXP)
Доступно 2000 шт. (под заказ)

Тиристор: 600 В, 0.5 А, -40...125