IRF1010NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF1010NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 240808
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Конфигурация
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id

MOSFET, N, 55V, 72A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:68A; Resistance, Rds On:0.0125ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:270A; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:115W; Power, Pd:115W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.011ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.2°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:55V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRF1010NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IPP093N06N3GXKSA1 (INFIN)
от 42,90 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, OptiMOS™ 60V is a perfect choice for Synchronous Rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those foun…

В НАЛИЧИИ 115шт.
47,50 от 71 шт. 40,80 от 155 шт. 37,40
Расчет доставки...