IRG4BC30KD-SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4BC30KD-SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 240296
Напряжение насыщения К-Э
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Технология
Максимальная рабочая температура
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C

IGBT, D2-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max28A
Voltage, Vce Sat Max2.21V
Power Dissipation100W
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed58A
Marking, SMDIRG4BC30KDS
Power, Pd100W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Typ160ns
Time, Rise42ns
Voltage, Vceo600V

IRG4BC30KDSTRRP (INFIN)
Доступно 2400 шт. (под заказ)

IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

IRG4BC30KDSTRLP (INFIN)
Доступно 3733 шт. (под заказ)

IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz