IRF1010ESPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF1010ESPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 239897
OBS Снято с производства
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность

MOSFET, N, 60V, 83A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ60V
Current, Id Cont83A
Resistance, Rds On0.012ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse330A
Power Dissipation170W
Power, Pd170W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.012ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.9°C/W
Voltage, Vds60V
Voltage, Vds Max60V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF1010ESTRLPBF (INFIN)
Доступно 94500 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…