IRF7309TRPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF7309TRPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF7309TRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 239669
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityDual N/P Channel
Drain Source Voltage, Vds30V
Continuous Drain Current, Id4.7A
On Resistance, Rds(on)50mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/Case8-SOIC

IRF7309PBF (INFIN)
от 21,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:4A; Resistance, Rds On:0.05ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:4A; Current, Id Cont P Channel:3A; Current, Idm Pulse:16A; Current, Idm Pulse N Channel 2:16A; Current, Idm Pulse P Channel:12A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F7309; Pin Configuration:c; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 233шт.
21,10 от 168 шт. 18,10 от 365 шт. 16,60
Расчет доставки...