IRL2910SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRL2910SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRL2910SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 239183
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Тмакс,
Тmin,
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge

MOSFET N CH, 100V 55A D2PAK

Case StyleD2-PAK
Temperature, Operating Range-55°C to +175°C
Termination TypeSMD
Current, Id Cont29A
Power, Pd3.8W
Resistance, Rds On0.026ohm
Transistor PolarityN Channel
Transistor TypePower MOSFET
Voltage, Vds Typ100V
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2V

Производитель: INFIN
Даташит для IRL2910SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRL2910S (INFIN)
Доступно 14 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. 100V. 55A.

IRL2910STRLPBF (INFIN)
Доступно 53509 шт. (под заказ)

MOSFET MOSFT 100V 55A 26mOhm 93.3nC LogLvl

IRL2910STRRPBF (INFIN)
Доступно 1148 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET,

В НАЛИЧИИ 440шт.
96,00 от 37 шт. 82,50 от 81 шт. 75,50
Расчет доставки...