IRG4IBC20UDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRG4IBC20UDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 238102
Минимальная рабочая температура
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Технология
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение насыщения К-Э

IGBT, TO-220 FULLPAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max11.4A
Voltage, Vce Sat Max1.85V
Power Dissipation34W
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed52A
Pins, No. of3
Power, Pd34W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max220ns
Time, Rise17ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRG4IBC20UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
В НАЛИЧИИ 1306шт.
106,00 от 32 шт. 90,50 от 70 шт. 83,00
Расчет доставки...