MJD3055T4G (On Semiconductor)

Наименование MJD3055T4G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 236888
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

Bipolar Transistor

Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage, V(br)ceo60V
Continuous Collector Current, Ic10A
Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat)1.1V
Power Dissipation, Pd20W
DC Current Gain Min (hfe)20

Производитель: ONS
MJD3055T4G.pdf
MJD3055T4 (ONS)
Доступно 2023 шт. (под заказ)

TRANSISTOR, BJT, NPN, 60V, 10A, TO-252-3

MJD3055T4 (ST)
Доступно 33084 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 60 В; IК(макс): 10 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 2 МГц; h21: 5...100