IRFB4229PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFB4229PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 234977
RND Рекомендуется для новых разработок
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Рассеиваемая мощность
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,

MOSFET, N, 250V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont46A
Resistance, Rds On0.046ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4229
Charge, Gate N-channel72nC
Current, Idm Pulse180A
Pins, No. of3
Power Dissipation330mW
Power, Pd330W
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V

IRFB4332PBF (INFIN)
от 132,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:250V; Current, Id Cont:60A; Resistance, Rds On:0.033ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4332; Charge, Gate N-channel:99nC; Current, Idm Pulse:230A; Pins, No.…

IPB320N20N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 19195 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 200V 34A D2PAK-2 OptiMOS 3

В НАЛИЧИИ 874шт.
151,00 от 23 шт. 130,00 от 50 шт. 119,00
Расчет доставки...