IRFS4229PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS4229PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFS4229PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 234976
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов

MOSFET, N, 250V, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont45A
Resistance, Rds On0.042ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Base Number4229
Current, Idm Pulse180A
Pins, No. of3
Power Dissipation330W
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs th Max5V

IRFS4229TRLPBF (INFIN)
Доступно 5156 шт. (под заказ)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant

IPB200N15N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 13599 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

В НАЛИЧИИ 5214шт.
180,00 от 20 шт. 155,00 от 43 шт. 142,00
Расчет доставки...