IRF530NPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF530NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRF530NPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF530NPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 234345
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов

MOSFET, N, 100V, 17A, TO-220; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:15A; Resistance, Rds On:0.11ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Current, Idm Pulse:60A; Device Marking:IRF530N; Pin Configuration:a; Pin Format:1 g; 2 d/tab; 3 s; Pins, No. of:3; Pitch, Lead:2.54mm; Power Dissipation:63W; Power, Pd:63W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.9°C/W; Transistors, No. of:1; Voltage, Vds Max:100V

IRFB4212PBF (INFIN)
Доступно 1739 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 100V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:18A; Resistance, Rds On:0.0725ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4212; Charge, Gate N-channel:15nC; Current, Idm Pulse:57A; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 9577шт.
31,30 от 100 шт. 26,80 от 250 шт. 24,60
Расчет доставки...