IRFS23N20DTRLP (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFS23N20DTRLP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS23N20DTRLP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFS23N20DTRLP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFS23N20DTRLP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 234018
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Технология
Серия
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Монтаж
Количество транзисторов
Vgs th
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge

Полевой транзистор. 200V. 24A.

Производитель: INFIN
Даташит для IRFS23N20DTRLP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFS23N20DPBF (INFIN)
Доступно 114 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 200V, 24A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:200V; Current, Id Cont:24A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5.5V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:96A; Marking, SMD:FS23N20D; Power Dissipation:3.8W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

В НАЛИЧИИ 782шт.
85,50 от 42 шт. 73,50 от 90 шт. 67,50
Расчет доставки...