IRFB4332PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB4332PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB4332PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 233447
RND Рекомендуется для новых разработок
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Channel Mode

MOSFET, N, 250V, TO-220AB

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ250V
Current, Id Cont60A
Resistance, Rds On0.033ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Base Number4332
Charge, Gate N-channel99nC
Current, Idm Pulse230A
Pins, No. of3
Power Dissipation390mW
Power, Pd390W
Voltage, Vds Max250V
Voltage, Vgs th Max5V
Voltage, Vgs th Min3V

IRFB4229PBF (INFIN)
от 156,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 250V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:250V; Current, Id Cont:46A; Resistance, Rds On:0.046ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4229; Charge, Gate N-channel:72nC; Current, Idm Pulse:180A; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 3646шт.
139,00 от 26 шт. 119,00 от 56 шт. 109,00
Расчет доставки...