IRG4PH40KDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRG4PH40KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4PH40KDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRG4PH40KDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 233419
Рассеиваемая мощность Pd
Монтаж
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Напряжение насыщения К-Э
Минимальная рабочая температура
Технология
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Максимальная рабочая температура

IGBT, TO-247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max30A
Voltage, Vce Sat Max3.4V
Power Dissipation160W
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed60A
Pins, No. of3
Power, Pd160W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Fall Max330ns
Time, Rise31ns
Time, Short Circuit Withstand Min10чs
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo1200V

IRG4PH30KDPBF (INFIN)
от 228,00 Склад (1-2 дн)

IGBT, TO-247; Transistor Type:IGBT; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1200V; Current, Ic Continuous a Max:20A; Voltage, Vce Sat Max:3.1V; Power Dissipation:100W; Case Style:TO-247; Termination Type:Through Hole; Current, Icm Pulsed:40A; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 98шт.
231,00 от 16 шт. 198,00 от 34 шт. 182,00
Расчет доставки...