IRFR024N (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFR024N
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 23256
Напряжение для измерения Rds(on)
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont16A
Resistance, Rds On0.07ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse68A
Depth, External10.5mm
Length / Height, External2.55mm
Marking, SMDIRFR024N
Power Dissipation38W
Power, Pd38W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max55V
Width, External6.8mm

IRFR024NTRPBF (INFIN)
от 20,10 Склад (1-2 дн)

40V-75V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic…

IRFR024NPBF (INFIN)
от 22,10 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 55V, 16A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:16A; Resistance, Rds On:0.07ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D-PAK; Current, Idm Pulse:68A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR024N; Power Dissipation:38W; Power, Pd:38W; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:3.3°C/W; Transistors, No.…

IRFR024NTRLPBF (INFIN)
Доступно 10809 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic dv/dt Ratin…

STD16NF06T4 (ST)
от 20,60 Склад (1-2 дн)

MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 16 А; Rси(вкл): 60...70 мОм; @Uзатв(ном): 5...7 В; Uзатв(макс): 20 В