IRFL9110PBF (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. )

IRFL9110PBF, VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Наименование IRFL9110PBF
Производитель VISHAY INTERTECHNOLOGY INC. (VISH/IR)
Артикул 232279
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss

MOSFET, P, -100V, -1.1A, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityP
Voltage, Vds Typ-100V
Current, Id Cont1.1A
Resistance, Rds On1.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement-10V
Voltage, Vgs th Typ-4V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse8.8A
Depth, External7.3mm
Length / Height, External1.7mm
Marking, SMDFL9110
Power Dissipation3.1W
Power, Pd3.1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A60°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max-4V
Width, External6.7mm
Width, Tape12mm

Производитель: VISH/IR
IRFL9110PBF.pdf
IRFL9110TRPBF (VISH/IR)
от 20,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P Channel; Drain Source Voltage, Vds:-100V; Continuous Drain Current, Id:-1.1A; On Resistance, Rds(on):1.2ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V; Package/Case:SOT-223