IRGPS60B120KDP (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRGPS60B120KDP, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRGPS60B120KDP
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 232200
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Рассеиваемая мощность Pd
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Ток коллектора макс. при 25°C
Минимальная рабочая температура
Напряжение насыщения К-Э
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Конфигурация
Монтаж
Технология
Серия

IGBT, W/DIODE, 1200V, 105A, SUPER247

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN Channel
Voltage, Vces1200V
Current, Ic Continuous a Max105A
Voltage, Vce Sat Max2.75V
Power Dissipation595W
Case StyleSuper-247
Termination TypeThrough Hole
Current, Icm Pulsed240A
Time, Fall Max58ns
Time, Rise32ns

Производитель: INFIN
irgps60b120kd.pdf