IRFL014NTRPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFL014NTRPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 231578
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current, Id1.9A
On Resistance, Rds(on)160mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs20V
Package/Case223-SOT
Power Dissipation, Pd2.1W

IRFL014NPBF (INFIN)
от 19,70 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 55V, 1.9A, SOT-223; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:55V; Current, Id Cont:2.7A; Resistance, Rds On:0.16ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:SOT-223; Termination Type:Through Hole; Capacitance, Ciss Typ:190pF; Charge, Qrr Typ @ Tj 25°C:64nC; Current, Iar:1.7A; Current, Idm Pulse:15A; Current, Idss Max:1.0чA; Depth, External:7.3mm; Energy, Avalanche Repetitive Ear:0.1mJ; Energy, Avalanche Single Pulse Eas:48mJ; Gfs, Min:1.6A/V; Length / Height, External:1.7mm; Marking, SMD:FL014N; Power Dissipation:1.0W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

В НАЛИЧИИ 24893шт.
17,50 от 194 шт. 15,00 от 421 шт. 13,80
Расчет доставки...