IRFL4310PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFL4310PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFL4310PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFL4310PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 231577
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Channel Mode
Конфигурация
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов

MOSFET, N, 100V, 1.6A, SOT-223

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont1.6A
Resistance, Rds On0.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSOT-223
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse13A
Depth, External7.3mm
Length / Height, External1.7mm
Marking, SMDFL4310
Power Dissipation2.1W
Power, Pd2.1W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A60°C/W
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V
Width, External6.7mm
Width, Tape12mm

IPB530N15N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 37716 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

IRFL4310TRPBF (INFIN)
Доступно 148741 шт. (под заказ)

MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:1.6A; On Resistance, Rds(on):200mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:20V; Package/Case:223-SOT; Power Dissipation, Pd:2.1W

BSP373NH6327XTSA1 (INFIN)
от 22,70 Склад (1-2 дн)

20V-800V N-Channel Small Signal MOSFET, All Small Signal N-Channel products are suitable for automotive applications (excluding 2N7002). Возможности

В НАЛИЧИИ 4653шт.
23,90 от 160 шт. 20,50 от 320 шт. 18,80
Расчет доставки...