IRFB52N15DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFB52N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFB52N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFB52N15DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 230449
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 150V, 60A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont60A
Resistance, Rds On0.032ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-220AB
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse240A
Power Dissipation320W
Power, Pd320W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V32ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.47°C/W
Voltage, Vds Max150V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFB52N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRFB4321PBF (INFIN)
от 123,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 150V, TO-220AB; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:150V; Current, Id Cont:83A; Resistance, Rds On:0.015ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:5V; Case Style:TO-220AB; Termination Type:Through Hole; Base Number:4321; Charge, Gate N-channel:71nC; Current, Idm Pulse:330A; Pins, No.…

IPP200N15N3GXKSA1 (INFIN)
от 117,00 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

В НАЛИЧИИ 334шт.
112,00 от 32 шт. 95,50 от 69 шт. 88,00
Расчет доставки...