IRL3713SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRL3713SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 229826
OBS Снято с производства
Тmin,
Тмакс,
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Рассеиваемая мощность
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус

MOSFET, N, 30V, 200A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont200A
Resistance, Rds On0.003ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ2.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse1040A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.003ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2.5V

IRL3713STRRPBF (INFIN)
Доступно 294 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Avalanche Rated Logic Lev…

IPB083N10N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 16425 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…