IRFR3411PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRFR3411PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3411PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRFR3411PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRFR3411PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 228684
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 100V, 32A, D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont32A
Resistance, Rds On0.044ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleDPAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD-PAK
Current, Idm Pulse110A
Power Dissipation130W
Power, Pd130W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V44mohm
Thermal Resistance, Junction to Case A1.2°C/W
Voltage, Vds Max100V

IRFR3411TRPBF (INFIN)
Доступно 15774 шт. (под заказ)

POWER MOSFET, 20V-300V, N-CHANNEL

IRFR3710ZPBF (INFIN)
от 47,30 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, D-PAK TUBE 75; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:42A; Resistance, Rds On:0.018ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:TO-252; Current, Idm Pulse:220A; Depth, External:10.5mm; Length / Height, External:2.55mm; Marking, SMD:IRFR3710ZPBF; Pins, No.…

В НАЛИЧИИ 3685шт.
36,50 от 97 шт. 31,30 от 210 шт. 28,70
Расчет доставки...