IRF1503SPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF1503SPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 228201
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Channel Mode
Конфигурация
Тмакс,
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Рассеиваемая мощность
Монтаж
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Корпус
Номинальное напряжение Vgs
Тmin,
Rd(on)

MOSFET, N, 30V, 190A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ30V
Current, Id Cont190A
Resistance, Rds On0.0033ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse960A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.0033ohm
Thermal Resistance, Junction to Case A0.75°C/W
Voltage, Vds30V
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max4V

Производитель: INFIN
Даташит для IRF1503SPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IPB083N10N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 17425 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…