BD137G (On Semiconductor)

BD137G, On Semiconductor BD137G, On Semiconductor BD137G, On Semiconductor
Наименование BD137G
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 227819
Макс. рабочая частота
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Конфигурация
Монтаж
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo

1.5 A, 60 V NPN Bipolar Power Transistor

BD139-10 (ST)
от 8,10 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [SOT32]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 25...250

BD139 (ST)
от 9,10 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [TO-126]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: от 250

BD139-16 (ST)
от 7,90 Склад (1-2 дн)

Биполярный транзистор - [SOT-32-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 500 мВ; IК(макс): 1.5 А; Pрасс: 12.5 Вт; h21: 100...250