IRF7311PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF7311PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 226939
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Vgs th
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id

MOSFET, DUAL, NN, LOGIC, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityNN
Voltage, Vds Typ20V
Current, Id Cont6.6A
Resistance, Rds On0.029ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement4.5V
Voltage, Vgs th Typ0.7V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse26A
Depth, External5.2mm
Length / Height, External1.75mm
Marking, SMDIRF7311PBF
Pins, No. of8
Pitch, Row6.3mm
Power Dissipation2W
Power, Pd2W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of2
Voltage, Vds Max20V
Width, External4.05mm

Производитель: INFIN
Даташит для IRF7311PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Производитель: INFIN
Даташит для IRF7311PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF7311 (INFIN)
Доступно 94 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. 20V. 6.6A.

IRF7311TRPBF (INFIN)
от 30,60 Склад (1-2 дн)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Dynamic dv/dt Rating Fast Switch…

IPB029N06N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 9845 шт. (под заказ)

MOSFET N-Ch 60V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB072N15N3GATMA1 (INFIN)
от 227,00 Склад (1-2 дн)

120V-300V N-Channel Power MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …