LMG5200MOFR (Texas Instruments)

Наименование LMG5200MOFR
Производитель Texas Instruments(TI)
Артикул 2257830
Сравнить В избранное
LMG5200MOFR - IC HALF-BRIDGE DRIVER GAN 9QFM
 
Технические характеристики:
  • группа: MOSFET силовой модуль;
  • Серия: LMG5200;
  • Корпус: QFM-9;
  • Напряжение сток-исток макс.: 80 В;
  • Схема модуля: полумостовой;
  • Макс. рабочий ток при 25°C: 10 А;
  • Сопротивление открытого канала при макс. U затвора: 15 мкОм;
  • Рабочая температура: -40°...+ 125°C
LMG5200MOFT (TI)

GAN FET DRIVER, HALF-BRIDGE, QFM-9

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В первой главе выполняется общий обзор GaN-ключей, а также рассматриваются преимущества их использования в источниках питания. Надежные и проверенные кремниевые МОП-транзисторы по-прежнему остаются важнейшими элементами источников питания, но благодаря появлению новых технологий начинается постепенный переход на GaN-ключи.

Настоящий цикл публикаций является переводом сборника статей, посвященных нитрид-галлиевым транзисторам. В данной главе рассматриваются преимущества использования GaN-ключей при построении источников питания на примере POL-преобразователей. Также в статье рассказывается об особенностях интегральной микросхемы LMG5200 со встроенными нитрид-галлиевыми транзисторами от Texas Instruments.

НЕТ В НАЛИЧИИ
Уведомить о поступлении
*Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.

Сравнение позиций

  • ()