IRF9952PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF9952PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 224743
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,

MOSFET, DUAL, NP, LOGIC, SO-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:NP; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:3.5A; Resistance, Rds On:0.1ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:SOIC; Termination Type:SMD; Current, Id Cont N Channel 2:3.5A; Current, Id Cont P Channel:2.3A; Current, Idm Pulse:16A; Current, Idm Pulse N Channel 2:16A; Current, Idm Pulse P Channel:10A; Depth, External:5.2mm; Length / Height, External:1.75mm; Marking, SMD:F9952; Pin Configuration:b; Pin Format:1 S1; 2 G1; 3 S2; 4 G2; 5 D2; 6 D2; 7 D1; 8 D1; Pins, No. of:8; Pitch, Row:6.3mm; Power Dissipation:2W; Power, Dissipation P Channel 2:2W; Power, Pd:2W; Resistance, Rds on N Channel Max:0.1ohm; Resistance, Rds on P Channel Max:0.25ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Temperature, Tj Max:150°C; Temperature, Tj Min:-55°C; Transistors, No. of:2; Voltage, Vds Max:30V; Voltage, Vds P Channel Max:30V; Width, External:4.05mm

IRF9952TRPBF (INFIN)
от 19,10 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Dynamic dv/dt Rating Fast Switching …