IRF7380PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF7380PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 224310
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Channel Mode
Конфигурация
Технология
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET, DUAL, NN, SO-8

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ80V
Current, Id Cont3.6A
Resistance, Rds On0.073ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleSOIC
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse29A
Pin Configuration1S1,2G1,3S2,4G2,(5&6)D2,(8&7)D1
Power, Pd2W
Time, Fall17ns
Time, Rise10ns
Transistors, No. of2
Voltage, Vds Max80V
Voltage, Vgs Max20V

Application Note Some key facts about avalanche
Производитель: INFIN
Даташит для IRF7380PBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRF7380TRPBF (INFIN)
Доступно 127702 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Low Gate-to-Dr…