IRG4RC10UDPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRG4RC10UDPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 223313
Ток коллектора макс. при 25°C
Напряжение коллектор-эмиттер макс.
Корпус
Напряжение насыщения К-Э
Рассеиваемая мощность Pd
Максимальная рабочая температура
Технология
Монтаж
Конфигурация
Напряжение затвор-эмиттер макс.
Минимальная рабочая температура

IGBT, D-PAK

Transistor TypeIGBT
Transistor PolarityN
Voltage, Vces600V
Current, Ic Continuous a Max5A
Voltage, Vce Sat Max2.6V
Power Dissipation38W
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Current, Icm Pulsed34A
Pins, No. of3
Power, Pd38W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Time, Rise16ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vceo600V

Производитель: INFIN
Даташит для IRG4RC10UDPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
IRG4RC10UDTRRP (INFIN)
Доступно 3000 шт. (под заказ)

IGBT Transistors 600V ULTRAFAST 8-60 KHZ COPACK IGBT

IRG4RC10UDTRLP (INFIN)
Доступно 59838 шт. (под заказ)

Discrete IGBT with Anti-Parallel Diode,