IRF530NS (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRF530NS
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 22318
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

MOSFET, N D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont17A
Resistance, Rds On0.11ohm
Case StyleTO-263
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse60A
Marking, SMDIRF530NS
Power Dissipation79W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd79W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs th Max4V

IRF530NSTRLPBF (INFIN)
от 41,70 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

IRF540ZSPBF (INFIN)
от 53,50 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 100V, 36A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:36A; Resistance, Rds On:0.0265ohm;…

IRF530NSPBF (INFIN)
Доступно 2598 шт. (под заказ)

MOSFET, N, 100V, 17A, D2-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:17A; Resistance, Rds On:0.11ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:D2-PAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D2-PAK; Current, Idm Pulse:60A; Marking, SMD:IRF530NS; Power Dissipation:79W; Power Dissipation, on 1 Sq.…

IRF530NSTRL (INFIN)
Доступно 436 шт. (под заказ)

Полевой транзистор. 100V. 17A.

IRF530NSTRRPBF (INFIN)
Доступно 529 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…

Сравнение позиций

  • ()