IRFIB41N15DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFIB41N15DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 222552
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Channel Mode
Конфигурация
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология

MOSFET, N, 150V, 41A, TO-220

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ150V
Current, Id Cont41A
Resistance, Rds On0.045ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-220FP
Termination TypeThrough Hole
Current, Idm Pulse164A
Power Dissipation200W
Power, Pd200W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Thermal Resistance, Junction to Case A3.14°C/W
Voltage, Vds Max150V

Производитель: INFIN
Даташит для IRFIB41N15DPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)