2N6075BG (On Semiconductor)

Наименование 2N6075BG
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 222520
Пиковое Off-State напряжение, Vdrm
Корпус
Отпирающий ток Макс (QI), Igt
Ток удержания Макс Ih
Ток коммутации номинальный
Ток управления
Макс. рабочее напряжение
Тип управляемого диода
Максимальная рабочая температура
Пиковая мощность
Напряжение открытия Макс Vgt
Пик ток перегрузки Itsm 50Гц
Кол-во выводов

TRIAC, 4A, 600V, TO-126

Thyristor/Triac TypeTriac
Voltage, Vdrm600V
Current, It RMS4A
Current, Gate Trigger, Igt, (Q1), t2+g+3mA
Current, Itsm (60Hz)30A
Case StyleTO-126
Termination TypeThrough Hole
Current, Itsm30A
Voltage, Vgt2.5V
Current, Igt3mA
Current, t2+g-3mA
Current, t2-g+5mA
Current, t2-g-3mA
Voltage, Vrrm600V

Производитель: ONS
2N6071-D.pdf