IXFK80N50P (Ixys Corporation )

IXFK80N50P, Ixys Corporation IXFK80N50P, Ixys Corporation
Наименование IXFK80N50P
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 221750
Тmin,
Тмакс,
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Серия
Channel Mode
Конфигурация
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, TO-264

Transistor TypeHiPerFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ500V
Current, Id Cont80A
Resistance, Rds On0.065ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5V
Case StyleTO-264
Termination TypeThrough Hole
Capacitance, Ciss Typ12700pF
Charge, Gate N-channel197nC
Pins, No. of3
Power, Pd1040W
Thermal Resistance, Junction to Case A0.12°C/W
Voltage, Vds Max500V
Time, trr Max200ns

Производитель: IXYS
IXFK80N50P.pdf