IXFH12N100Q (Ixys Corporation )

IXFH12N100Q, Ixys Corporation IXFH12N100Q, Ixys Corporation
Наименование IXFH12N100Q
Производитель Ixys Corporation (IXYS)
Артикул 221240
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Кол-во выводов

MOSFET, N, TO-247

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ1000V
Current, Id Cont12A
Resistance, Rds On1.05ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleTO-247
Termination TypeThrough Hole
Charge, Gate N-channel90nC
Current, Idm Pulse48A
Energy, Avalanche Repetitive Ear30mJ
Pins, No. of3
Power Dissipation300W
Power, Pd300W
Resistance, Rds on Max1.05ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max150°C
Temperature, Tj Min-55°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max1000V
Voltage, Vgs th Max5.5V
Weight6g
dv/dt5V/ns

Производитель: IXYS
Даташит для IXFH12N100Q, Ixys Corporation