MJD32CG (On Semiconductor)

Наименование MJD32CG
Производитель On Semiconductor(ONS)
Артикул 221145
Напряжение насыщения КЭ
Напряжение Vebo
Напряжение Vcbo
Конфигурация
Монтаж
Частота перехода ft
Серия
Максимальная рабочая температура
Кол-во выводов
Коэффициент усиления по току hFE
Тип проводимости и конфигурация
Напряжение Vce макс,
Ток коллектора Ic
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. рабочая частота

TRANSISTOR, PNP, D-PAK

Transistor TypeBipolar
Transistor PolarityPNP
Voltage, Vceo100V
Current, Ic Continuous a Max3A
Voltage, Vce Sat Max-1.2V
Power Dissipation1.56W
Hfe, Min10
ft, Typ3MHz
Case StyleD-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateTO-252
Current, Ic Max3A
Current, Ic hFE1A
Depth, External10.28mm
Length / Height, External2.38mm
Marking, SMDMJD32C
Power, Ptot15W
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vcbo100V
Width, External6.73mm
ft, Min3MHz

MJD32CT4 (ONS)
Доступно 1590 шт. (под заказ)

Bipolar Transistor; Transistor Polarity:P Channel; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; DC Current Gain Min (hfe):10; Package/Case:TO-252; Collector Current:3A; Collector Current @ hfe:3чA; Leaded Process Compatible:Yes

MJD32CRLG (ONS)
Доступно 28930 шт. (под заказ)

Биполярный транзистор общего назначения

MJD32CT4G (ONS)
Доступно 110876 шт. (под заказ)

TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:100V; Current, Ic Continuous a Max:3A; Voltage, Vce Sat Max:1.2V;…

В НАЛИЧИИ 3455шт.
15,80 от 225 шт. 13,60 от 450 шт. 12,50
Расчет доставки...