IRFS23N20DPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFS23N20DPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 221064
OBS Снято с производства
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,
Рассеиваемая мощность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Ток стока Id
Напряжение для измерения Rds(on)
Кол-во выводов

MOSFET, N, 200V, 24A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ200V
Current, Id Cont24A
Resistance, Rds On0.1ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ5.5V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Case Style, AlternateD2-PAK
Current, Idm Pulse96A
Marking, SMDFS23N20D
Power Dissipation3.8W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd3.8W
Power, Ptot38W
Thermal Resistance, Junction to Case A0.9°C/W
Voltage, Vds200V
Voltage, Vds Max200V
Voltage, Vgs th Max5.5V

IRFS23N20DTRLP (INFIN)
от 81,00 Склад (1-2 дн)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fully Characterized Avalanche Voltage a…

IRFS23N20D (INFIN)
Доступно 34 шт. (под заказ)

MOSFET: N, 200 В, Q1: N, 100mΩ / 10V, 24 А