IRLR3103 (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRLR3103
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 22070
Рассеиваемая мощность
Корпус
Макс. напряжение Vdss
Конфигурация и полярность
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Rd(on)
Номинальное напряжение Vgs
Напряжение для измерения Rds(on)
Сравнить В избранное Аналоги по параметрам

MOSFET, N LOGIC D-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Current, Id Cont45A
Resistance, Rds On0.019ohm
Case StyleTO-252 (D-Pak)
Termination TypeSMD
Current, Idm Pulse69A
Marking, SMDIRLR3103
Power Dissipation69W
Power, Pd69W
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Transistors, No. of1
Voltage, Vds Max30V
Voltage, Vgs th Max2V

IRLR3103PBF (INFIN)
от 58,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N, 30V, 46A, D-PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:30V; Current, Id Cont:45A; Resistance, Rds On:0.019ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:1V; Case Style:DPAK; Termination Type:SMD; Case Style, Alternate:D-PAK; Current, Idm Pulse:69A; Marking, SMD:IRLR3103; Power Dissipation:69W; Power, Pd:69W; Resistance, Rds on @ Vgs = 10V:0.019ohm; Temperature, Current:25°C; Temperature, Full Power Rating:25°C; Thermal Resistance, Junction to Case A:1.8°C/W; Transistors, No.…

IRLR3103TRPBF (INFIN)
от 41,60 Склад (1-2 дн)

20V-30V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Low RDS(on) Industry-leading quality Dynamic…

Сравнение позиций

  • ()