IRF520NSPBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

IRF520NSPBF, Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors)
Наименование IRF520NSPBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 219756
OBS Снято с производства
Rds(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Кол-во выводов
Vgs для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тмакс,°C
Рассеиваемая мощность

MOSFET, N, 100V, 9.5A, D2-PAK

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN
Voltage, Vds Typ100V
Current, Id Cont9.7A
Resistance, Rds On0.2ohm
Voltage, Vgs Rds on Measurement10V
Voltage, Vgs th Typ4V
Case StyleD2-PAK
Termination TypeSMD
Capacitance, Ciss Typ330pF
Case Style, AlternateD2-PAK
Charge, Gate N-channel25nC
Current, Iar5.7A
Current, Idm Pulse38A
Current, Idss Max25чA
Depth, External15.49mm
Energy, Avalanche Repetitive Ear4.8mJ
Energy, Avalanche Single Pulse Eas91mJ
Length / Height, External4.69mm
Marking, SMDIRF520NS
Power Dissipation48W
Power Dissipation, on 1 Sq. PCB3.8W
Power, Pd48W
Resistance, Rds on @ Vgs = 10V0.2ohm
Temperature, Current25°C
Temperature, Full Power Rating25°C
Temperature, Tj Max175°C
Temperature, Tj Min-55°C
Thermal Resistance, Junction to Case A3.1°C/W
Time, Fall23ns
Time, Rise23ns
Time, trr Typ99ns
Transistors, No. of1
Voltage, Vds100V
Voltage, Vds Max100V
Voltage, Vgs Rds N Channel10V

Производитель: INFIN
irf520nspbf.pdf
IRF520NSTRLPBF (INFIN)
Доступно 8081 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, ПреимуществаRoHS CompliantLow RDS(on)Industry-leading qualityDynamic dv/dt Ratin…