IRFS3207PBF (Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) )

Наименование IRFS3207PBF
Производитель Infineon Technologies Ag (Siemens Semiconductors) (INFIN)
Артикул 219668
NRND Не рекомендовано для новых разработок
Qg - Gate Charge
Количество транзисторов
Монтаж
Технология
Channel Mode
Напряжение для измерения Rds(on)
Ток стока Id
Номинальное напряжение Vgs
Конфигурация
Rd(on)
Ток стока номинальный (Id) @ 25°C, без учета ограничений корпуса
Конфигурация и полярность
Макс. напряжение Vdss
Корпус
Тmin,
Тмакс,
Рассеиваемая мощность

MOSFET

Transistor TypeMOSFET
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage, Vds75V
Continuous Drain Current, Id180A
On Resistance, Rds(on)4.5mohm
Rds(on) Test Voltage, Vgs10V
Package/CaseD2PAK

IPB123N10N3GATMA1 (INFIN)
от 72,50 Склад (1-2 дн)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, The 100V OptiMOS™ family offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next be…

IRFS3107PBF (INFIN)
от 237,00 Склад (1-2 дн)

MOSFET, N-CH, 75V, D2PAK; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:75V; Current, Id Cont:230A; Resistance, Rds On:2.5mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V;…

IRFS3207TRLPBF (INFIN)
Доступно 7546 шт. (под заказ)

80V-100V N-Channel Power MOSFET, Преимущества RoHS Compliant Industry-leading quality Fast Switching 175°…

IPB200N15N3GATMA1 (INFIN)
Доступно 11453 шт. (под заказ)

100V-300V N-Channel Automotive MOSFET, The 150V OptiMOS™ achieves a reduction in R DS(on) of 40% and of 45% in Figure of Merit (FOM) compared to the next best …

В НАЛИЧИИ 54шт.
130,00 от 26 шт. 112,00 от 50 шт. 103,00
Расчет доставки...